正性光刻胶:
是复制到硅片表面的图形与掩膜版一样,被紫外光曝光后的区域经历了一种化学反应,在显影液中软化并可溶解在显影液中。曝光的正性光刻胶区域将在显影液中除去,而不透明的掩膜版下的没有被曝光的光刻胶仍留在硅片上。
负性光刻机:
是当曝光后,光刻胶会因交联而变得不可溶解并会硬化。一旦硬化,交联的光刻胶就不能在溶剂中被洗掉,因为光刻胶上的图形与投影掩膜版上的图形相反。负性光刻胶是最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶。
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