光刻工艺

光刻是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，利用曝光和显影在光刻胶层上刻画器件结构，再通过刻蚀工艺将掩膜上的图形转换到衬底上。本公司目前掌握电子束光刻，步进式光刻，接触式光刻等多种光刻技术。

技术应用

光刻技术主要应用于半导体器件，集成电路制造过程中。

工艺能力

EBL（电子束光刻）：最小CD值50nm,精度可达10%。

Stepper(步进式光刻)：尼康 i7/i10/i12，最小CD值350nm，曝光误差±0.1um，最大曝光面积6英寸。

接触、接近式光刻：SUSS MA6/BA6光刻机，最小CD值2um，曝光误差±0.3um

我们的优势

根据客户需求，定制最具性价比光刻方案 精度高，线宽小 衬底尺寸范围1cm至8英寸 图形保真度高